2SA1962RTU

Изображения только для справки
номер части
2SA1962RTU
категории
Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Техническая спецификация
Описание
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon

Характеристики

категории
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
230 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
230 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
15 A
DC Collector/Base Gain hfe Min
55 at 1 A, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Height
19.9 mm
Length
15.6 mm
Maximum DC Collector Current
17 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
130000 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2SA1962
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Unit Weight
Width
4.8 mm

последние обзоры

Yes, they are all here. :)

packed pretty good, all is ok,-seller.

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Works. Recommend

Good material. Great seller, efficient and insurance. Ok

Ключевые слова к 2SA1

  • 2SA1962RTU интегрированный
  • 2SA1962RTU RoHS
  • 2SA1962RTU PDF Datasheet
  • 2SA1962RTU Техническая спецификация
  • 2SA1962RTU Часть
  • 2SA1962RTU купить
  • 2SA1962RTU дистрибьютор
  • 2SA1962RTU PDF
  • 2SA1962RTU Составная часть
  • 2SA1962RTU ИС
  • 2SA1962RTU Скачать PDF
  • 2SA1962RTU Скачать таблицу
  • 2SA1962RTU Поставка
  • 2SA1962RTU поставщик
  • 2SA1962RTU Цена
  • 2SA1962RTU Техническая спецификация
  • 2SA1962RTU Образ
  • 2SA1962RTU Картина
  • 2SA1962RTU инвентарь
  • 2SA1962RTU Склад
  • 2SA1962RTU оригинал
  • 2SA1962RTU самый дешевый
  • 2SA1962RTU Отлично
  • 2SA1962RTU Без свинца
  • 2SA1962RTU Спецификация
  • 2SA1962RTU Горячие предложения
  • 2SA1962RTU Цена перерыва
  • 2SA1962RTU Технические данные