UF28100V

Изображения только для справки
номер части
UF28100V
категории
RF MOSFET Transistors
RoHS
Техническая спецификация
Описание
RF MOSFET Transistors 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Характеристики

категории
RF MOSFET Transistors
Configuration
Dual
Forward Transconductance - Min
1.5 s
Gain
10 dB
Id - Continuous Drain Current
12 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Operating Frequency
100 MHz to 500 MHz
Output Power
100 W
Package / Case
744A-01
Packaging
Tray
Pd - Power Dissipation
250 W
Product Type
RF MOSFET Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
6 V

последние обзоры

My package arrived wet, not know where occurs this fact, but working all right

Received, Fast shipping, not checked yet

Everything is excellent! recommend this seller!

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked

Ключевые слова к UF28

  • UF28100V интегрированный
  • UF28100V RoHS
  • UF28100V PDF Datasheet
  • UF28100V Техническая спецификация
  • UF28100V Часть
  • UF28100V купить
  • UF28100V дистрибьютор
  • UF28100V PDF
  • UF28100V Составная часть
  • UF28100V ИС
  • UF28100V Скачать PDF
  • UF28100V Скачать таблицу
  • UF28100V Поставка
  • UF28100V поставщик
  • UF28100V Цена
  • UF28100V Техническая спецификация
  • UF28100V Образ
  • UF28100V Картина
  • UF28100V инвентарь
  • UF28100V Склад
  • UF28100V оригинал
  • UF28100V самый дешевый
  • UF28100V Отлично
  • UF28100V Без свинца
  • UF28100V Спецификация
  • UF28100V Горячие предложения
  • UF28100V Цена перерыва
  • UF28100V Технические данные