BVSS84LT1G

Изображения только для справки
номер части
BVSS84LT1G
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET PFET 50V 130MA 10.0

Характеристики

категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
1.7 ns
Id - Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
SOT-23-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Pd - Power Dissipation
225 mW
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
2.2 nC
Qualification
AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance
10 Ohms
Rise Time
9.7 ns
Series
BSS84L
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
12 ns
Typical Turn-On Delay Time
3.6 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
50 V
Vgs - Gate-Source Voltage
5 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
900 mV

последние обзоры

fast delivery

The goods are OK, thank you dealers.

the photo in comparison with cheap. Delivery fast

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Shipping bіlshe mіsyatsya. Chi pratsyuyut not perevіryav.

Ключевые слова к BVSS

  • BVSS84LT1G интегрированный
  • BVSS84LT1G RoHS
  • BVSS84LT1G PDF Datasheet
  • BVSS84LT1G Техническая спецификация
  • BVSS84LT1G Часть
  • BVSS84LT1G купить
  • BVSS84LT1G дистрибьютор
  • BVSS84LT1G PDF
  • BVSS84LT1G Составная часть
  • BVSS84LT1G ИС
  • BVSS84LT1G Скачать PDF
  • BVSS84LT1G Скачать таблицу
  • BVSS84LT1G Поставка
  • BVSS84LT1G поставщик
  • BVSS84LT1G Цена
  • BVSS84LT1G Техническая спецификация
  • BVSS84LT1G Образ
  • BVSS84LT1G Картина
  • BVSS84LT1G инвентарь
  • BVSS84LT1G Склад
  • BVSS84LT1G оригинал
  • BVSS84LT1G самый дешевый
  • BVSS84LT1G Отлично
  • BVSS84LT1G Без свинца
  • BVSS84LT1G Спецификация
  • BVSS84LT1G Горячие предложения
  • BVSS84LT1G Цена перерыва
  • BVSS84LT1G Технические данные