TK12P60W,RVQ

Изображения только для справки
номер части
TK12P60W,RVQ
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

Характеристики

категории
MOSFET
Configuration
Single
Fall Time
5.5 ns
Height
2.3 mm
Id - Continuous Drain Current
11.5 A
Length
6.5 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
100 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
25 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
340 mOhms
Rise Time
23 ns
Series
TK12P60W
Technology
SI
Tradename
DTMOSIV
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
45 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3.7 V
Width
5.5 mm

последние обзоры

fast delivery, item as described, thanks!!

fast delivery

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Looks good

Ключевые слова к TK12

  • TK12P60W,RVQ интегрированный
  • TK12P60W,RVQ RoHS
  • TK12P60W,RVQ PDF Datasheet
  • TK12P60W,RVQ Техническая спецификация
  • TK12P60W,RVQ Часть
  • TK12P60W,RVQ купить
  • TK12P60W,RVQ дистрибьютор
  • TK12P60W,RVQ PDF
  • TK12P60W,RVQ Составная часть
  • TK12P60W,RVQ ИС
  • TK12P60W,RVQ Скачать PDF
  • TK12P60W,RVQ Скачать таблицу
  • TK12P60W,RVQ Поставка
  • TK12P60W,RVQ поставщик
  • TK12P60W,RVQ Цена
  • TK12P60W,RVQ Техническая спецификация
  • TK12P60W,RVQ Образ
  • TK12P60W,RVQ Картина
  • TK12P60W,RVQ инвентарь
  • TK12P60W,RVQ Склад
  • TK12P60W,RVQ оригинал
  • TK12P60W,RVQ самый дешевый
  • TK12P60W,RVQ Отлично
  • TK12P60W,RVQ Без свинца
  • TK12P60W,RVQ Спецификация
  • TK12P60W,RVQ Горячие предложения
  • TK12P60W,RVQ Цена перерыва
  • TK12P60W,RVQ Технические данные

Популярные поисковые запросы