UF28150J

Изображения только для справки
номер части
UF28150J
категории
RF MOSFET Transistors
RoHS
Техническая спецификация
Описание
RF MOSFET Transistors 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

Характеристики

категории
RF MOSFET Transistors
Configuration
Dual
Gain
8 dB
Id - Continuous Drain Current
16 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
SMD/SMT
Operating Frequency
100 MHz to 500 MHz
Output Power
150 W
Package / Case
375-04
Packaging
Tray
Pd - Power Dissipation
389 W
Product Type
RF MOSFET Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
6 V

последние обзоры

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Thank You all fine, packed very well

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

fast delivery

Long Service and Russia!

Ключевые слова к UF28

  • UF28150J интегрированный
  • UF28150J RoHS
  • UF28150J PDF Datasheet
  • UF28150J Техническая спецификация
  • UF28150J Часть
  • UF28150J купить
  • UF28150J дистрибьютор
  • UF28150J PDF
  • UF28150J Составная часть
  • UF28150J ИС
  • UF28150J Скачать PDF
  • UF28150J Скачать таблицу
  • UF28150J Поставка
  • UF28150J поставщик
  • UF28150J Цена
  • UF28150J Техническая спецификация
  • UF28150J Образ
  • UF28150J Картина
  • UF28150J инвентарь
  • UF28150J Склад
  • UF28150J оригинал
  • UF28150J самый дешевый
  • UF28150J Отлично
  • UF28150J Без свинца
  • UF28150J Спецификация
  • UF28150J Горячие предложения
  • UF28150J Цена перерыва
  • UF28150J Технические данные