D2012UK

Изображения только для справки
номер части
D2012UK
категории
RF MOSFET Transistors
RoHS
Техническая спецификация
Описание
RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE

Характеристики

категории
RF MOSFET Transistors
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Gain
10 dB
Height
5.08 mm
Id - Continuous Drain Current
4 A
Length
18.92 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMD/SMT
Operating Frequency
1 GHz
Output Power
10 W
Package / Case
DP
Pd - Power Dissipation
42 W
Product Type
RF MOSFET Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 7 V
Width
6.35 mm

последние обзоры

My package arrived wet, not know where occurs this fact, but working all right

goods very well received very good quality

Quick delivery. Secure packing. Excellent product. Thank you

Everything is excellent! recommend this seller!

The goods are OK, thank you dealers.

Ключевые слова к D201

  • D2012UK интегрированный
  • D2012UK RoHS
  • D2012UK PDF Datasheet
  • D2012UK Техническая спецификация
  • D2012UK Часть
  • D2012UK купить
  • D2012UK дистрибьютор
  • D2012UK PDF
  • D2012UK Составная часть
  • D2012UK ИС
  • D2012UK Скачать PDF
  • D2012UK Скачать таблицу
  • D2012UK Поставка
  • D2012UK поставщик
  • D2012UK Цена
  • D2012UK Техническая спецификация
  • D2012UK Образ
  • D2012UK Картина
  • D2012UK инвентарь
  • D2012UK Склад
  • D2012UK оригинал
  • D2012UK самый дешевый
  • D2012UK Отлично
  • D2012UK Без свинца
  • D2012UK Спецификация
  • D2012UK Горячие предложения
  • D2012UK Цена перерыва
  • D2012UK Технические данные