2SA2007E

Изображения только для справки
номер части
2SA2007E
категории
Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Техническая спецификация
Описание
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 60V 12A

Характеристики

категории
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
- 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.3 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 12 A
DC Collector/Base Gain hfe Min
160
DC Current Gain hFE Max
320
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz
Maximum DC Collector Current
- 12 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-220FP-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
25 W
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2SA2007
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Unit Weight

последние обзоры

Yes, they are all here. :)

packed pretty good, all is ok,-seller.

Thank You all fine, packed very well

Perfectly.

fast delivery

Ключевые слова к 2SA2

  • 2SA2007E интегрированный
  • 2SA2007E RoHS
  • 2SA2007E PDF Datasheet
  • 2SA2007E Техническая спецификация
  • 2SA2007E Часть
  • 2SA2007E купить
  • 2SA2007E дистрибьютор
  • 2SA2007E PDF
  • 2SA2007E Составная часть
  • 2SA2007E ИС
  • 2SA2007E Скачать PDF
  • 2SA2007E Скачать таблицу
  • 2SA2007E Поставка
  • 2SA2007E поставщик
  • 2SA2007E Цена
  • 2SA2007E Техническая спецификация
  • 2SA2007E Образ
  • 2SA2007E Картина
  • 2SA2007E инвентарь
  • 2SA2007E Склад
  • 2SA2007E оригинал
  • 2SA2007E самый дешевый
  • 2SA2007E Отлично
  • 2SA2007E Без свинца
  • 2SA2007E Спецификация
  • 2SA2007E Горячие предложения
  • 2SA2007E Цена перерыва
  • 2SA2007E Технические данные