2SA2013-TD-E

Изображения только для справки
номер части
2SA2013-TD-E
категории
Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Техническая спецификация
Описание
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V

Характеристики

категории
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min
200
DC Current Gain hFE Max
560
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Gain Bandwidth Product fT
360 MHz
Maximum DC Collector Current
- 7 A
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
PCP-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Pd - Power Dissipation
3.5 W
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2SA2013
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Unit Weight

последние обзоры

Quick delivery. Secure packing. Excellent product. Thank you

Works. Find the price of this product is very good

Everything is fine!

Seems well have not tested

Looks good

Ключевые слова к 2SA2

  • 2SA2013-TD-E интегрированный
  • 2SA2013-TD-E RoHS
  • 2SA2013-TD-E PDF Datasheet
  • 2SA2013-TD-E Техническая спецификация
  • 2SA2013-TD-E Часть
  • 2SA2013-TD-E купить
  • 2SA2013-TD-E дистрибьютор
  • 2SA2013-TD-E PDF
  • 2SA2013-TD-E Составная часть
  • 2SA2013-TD-E ИС
  • 2SA2013-TD-E Скачать PDF
  • 2SA2013-TD-E Скачать таблицу
  • 2SA2013-TD-E Поставка
  • 2SA2013-TD-E поставщик
  • 2SA2013-TD-E Цена
  • 2SA2013-TD-E Техническая спецификация
  • 2SA2013-TD-E Образ
  • 2SA2013-TD-E Картина
  • 2SA2013-TD-E инвентарь
  • 2SA2013-TD-E Склад
  • 2SA2013-TD-E оригинал
  • 2SA2013-TD-E самый дешевый
  • 2SA2013-TD-E Отлично
  • 2SA2013-TD-E Без свинца
  • 2SA2013-TD-E Спецификация
  • 2SA2013-TD-E Горячие предложения
  • 2SA2013-TD-E Цена перерыва
  • 2SA2013-TD-E Технические данные