QH8M22TCR

Изображения только для справки
номер части
QH8M22TCR
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET 40V NCH+PCH MIDDLE POWER

Характеристики

категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Dual
Fall Time
2 ns, 10 ns
Id - Continuous Drain Current
4.5 A, 2.5 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
2 Channel
Package / Case
TSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
2.6 nC, 9.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
46 mOhms
Rise Time
2.9 ns, 10 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel, P-Channel
Transistor Type
1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
14.8 ns, 35 ns
Typical Turn-On Delay Time
3.9 ns, 8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

последние обзоры

My package arrived wet, not know where occurs this fact, but working all right

Received, Fast shipping, not checked yet

Quick delivery. Secure packing. Excellent product. Thank you

all exactly and work. радиолюбителя useful set to, thank you)

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Ключевые слова к QH8M

  • QH8M22TCR интегрированный
  • QH8M22TCR RoHS
  • QH8M22TCR PDF Datasheet
  • QH8M22TCR Техническая спецификация
  • QH8M22TCR Часть
  • QH8M22TCR купить
  • QH8M22TCR дистрибьютор
  • QH8M22TCR PDF
  • QH8M22TCR Составная часть
  • QH8M22TCR ИС
  • QH8M22TCR Скачать PDF
  • QH8M22TCR Скачать таблицу
  • QH8M22TCR Поставка
  • QH8M22TCR поставщик
  • QH8M22TCR Цена
  • QH8M22TCR Техническая спецификация
  • QH8M22TCR Образ
  • QH8M22TCR Картина
  • QH8M22TCR инвентарь
  • QH8M22TCR Склад
  • QH8M22TCR оригинал
  • QH8M22TCR самый дешевый
  • QH8M22TCR Отлично
  • QH8M22TCR Без свинца
  • QH8M22TCR Спецификация
  • QH8M22TCR Горячие предложения
  • QH8M22TCR Цена перерыва
  • QH8M22TCR Технические данные